期刊信息/Journal information
：中国电工技术学会
：马伟明
：半月刊
：1000-6753
：11-2188/TM
：dgjsxb@vip.126.com
：010-88379629/9848
：100055
：北京西城区莲花池东路102号天莲大厦10层
电工技术学报/Journal Transactions of China Electrotechnical Society北大核心CSCDCSTPCD
《电工技术学报》于1986年创刊，是由中国电工技术学会主办的电气工程领域的综合性学术期刊。1997年由季刊改为双月刊，2004年改为月刊，2015年改为半月刊出版。创刊以来，在主管单位和主办单位的管理...展开全部>>
收录年代
"宽禁带功率半导体器件封装集成技术与可靠性优化研究"专题特约主编寄语
王来利5011-5012
安全工作区外重复过电压硬开关下SiC MOSFET参数退化特性与机理
张岩;薛少鹏;李阳;李现亭;刘进军5029-5043
高压大功率IGBT短路失效机理及保护技术研究综述
冯甘雨;李学宝;陶琛;孙鹏;赵志斌;陈兵5044-5067
基于驱动电压主动切换的Si/SiC混合器件结温波动平滑控制
白丹;涂春鸣;龙柳;肖凡;肖标5068-5080
SiC MOSFET的短路耐受时间分析及其基于di/dt-PMOS的短路保护
谢佳明;魏金萧;吴彬兵;丰昊;冉立5081-5091
基于双面布局的低寄生电感SiC功率模块
马浩浩;杨媛;郭孙毓;Santiago Cobreces;李言5092-5105
基于器件物理的高压SiC MOSFET短路故障行为模型
巫以凡;李驰;徐云飞;郑泽东;郝一5013-5028
多芯片整体式Clip互连碳化硅功率模块反向耦合低感封装方法
张彤宇;王来利;苗昱;裴云庆;甘永梅5106-5118
基于源极直连策略的并联SiC MOSFETs动态均流方法
陈浩斌;闫海东;马凯;郭清;盛况5119-5135
芯片参数分散性对多芯片并联SiC MOSFET热安全工作区的影响
蒋馨玉;孙鹏;唐新灵;金锐;赵志斌5136-5150