具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件OA北大核心CSCDCSTPCD
High Performance Gate Length 22nm CMOS Device with Strained Channel and EOT 1.2nm
深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 3…查看全部>>
徐秋霞;钱鹤;段晓峰;刘海华;王大海;韩郑生;刘明;陈宝钦;李海欧
中国科学院微电子研究所,北京,100029中国科学院微电子研究所,北京,100029中国科学院物理研究所,北京,100080中国科学院物理研究所,北京,100080中国科学院微电子研究所,北京,100029中国科学院微电子研究所,北京,100029中国科学院微电子研究所,北京,100029中国科学院微电子研究所,北京,100029中国科学院微电子研究所,北京,100029
电子信息工程
应变硅沟道压应力Ge预非晶化注入等效氧化层厚度栅长CMOS
《半导体学报》 2006 (z1)
283-290,8
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2006CB302704)
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