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SU-8光刻胶加工工艺及应力梯度研究OA

中文摘要

文章采用牺牲层刻蚀技术加工SU-8胶MEMS微结构,BP212正性光刻胶作为牺牲层,SU-8胶作为结构层.制造出的SU-8胶微结构完整,表面无裂纹,牺牲层释放干净.通过测量释放后的SU-8胶悬臂梁曲率半径,计算其应力梯度,研究了后烘温度对SU-8胶薄膜应力梯度的影响.

韦剑;何万益;陆颖颖

南京邮电大学通达学院,江苏 扬州 225127南京邮电大学通达学院,江苏 扬州 225127南京邮电大学通达学院,江苏 扬州 225127

信息技术与安全科学

SU-8胶牺牲层刻蚀应力梯度后烘温度

《科技创新与应用》 2017 (33)

63-64,66,3

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