γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理OACSTPCD
Degradation Mechanism of Full Well Capacity for 4T CMOS Image Sensors Under γ-Ray Irradiation
用60 Coγ射线对国产0.18 μm科学级4T互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素图像传感器进行电离总剂量辐照试验,研究了动态偏置下满阱容量的变化规律.试验的吸收剂量率为50 rad(Si)· s-1,测试点的吸收剂量分别为10,30,50,100,150,200,350 krad (Si).结果 表明,随着吸收剂量的增大,满阱容量发生了明显退化.根据提出的钳位光电二极管(PPD)满阱容量计算模型,对实验结果进行了分析.结果 表明,辐照导致…查看全部>>
蔡毓龙;李豫东;郭旗;文林;周东;冯婕;马林东;张翔
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011中国科学院大学,北京100049中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
信息技术与安全科学
图像传感器CMOS满阱容量电离总剂量效应
《现代应用物理》 2019 (1)
62-66,5
国防工业发展计划资助项目(JCKY2016130C206)
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