基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应OA北大核心CSCDCSTPCD
Current collapse suppression in AlGaN/GaN high electron mobility transistor with groove structure
基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道电子跃迁至缓冲层,并被缓冲层中的陷阱俘获是造成电流崩塌的主要原因之一.提出了势垒层局部凹槽结构,降低了栅边缘漏侧的电场峰值,使电场分布更加均匀,改善了器件的电流崩塌效应.与传统AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构相比,新器件结构对电流崩塌效应的抑制作用至少提升了22.30％.
刘静;王琳倩;黄忠孝
西安理工大学电子工程系,西安710048西安理工大学电子工程系,西安710048西安理工大学电子工程系,西安710048
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应缓冲层陷阱
《物理学报》 2019 (24)
347-353,7
陕西省重点研发计划(批准号:2019GY-060)资助的课题.
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