基于石英基底的PZT薄膜制备研究OA
Preparation of PZT Thin Films Based on Deposition Layers
研究了在石英基底上制备PZT薄膜,通过在石英基底上制备氮化硅沉积层来改善PZT薄膜质量.运用PECVD技术在石英基底上制备氮化硅沉积层,使用溶胶-凝胶法在沉积层上制备锆钛酸铅(PZT)薄膜,并对PZT薄膜的性能进行了表征.氮化硅沉积层的厚度选为500 nm,PZT薄膜的制备厚度选为1μm,对PZT薄膜的晶向、漏电流、介电性能和铁电性能进行了表征,结果表明在拥有氮化硅沉积层的石英基底上能够制备出性能优良的PZT薄膜.
崔岩;孔祥新;于舜尧;李嘉豪
大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连 116024大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连 116024大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连 116024大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连 116024
通用工业技术
PECVD氮化硅石英基底PZT薄膜
《机电工程技术》 2019 (12)
精密制造理论与技术基础研究
106-108,3
国家自然科学基金项目(编号:51621064)
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