期刊信息/Journal information
：西北核技术研究所科技信息中心
：欧阳晓平
：双月刊
：2095-6223
：61-1491/O4
：cjapnint@163.com
：710024
：西安市㶚桥区平峪路28号
现代应用物理/Journal Modern Applied PhysicsCSTPCD
《现代应用物理》创刊于2010年，是由西北核技术研究所主办的物理类学术期刊，2013年获得正式刊号（CN 61-1491/O4），公开发行，季刊出版。是国内唯一一家以“应用物理”命名的期刊，旨在关注应...展开全部>>
收录年代
基于热像素的CCD电荷转移效率在轨测试方法
冯婕;文林;李豫东;郭旗63-67
光子晶体闪烁体研究进展
欧阳晓平;刘波1-9
用于Z箍缩功率密度测量的针孔阵列设计
王亮平;张金海;李沫;郭宁10-15
Monte Carlo模拟方法在133Xe活度绝对测量中的应用
解峰;李雪松;师全林;代义华;何小兵;余功硕;姜文刚16-21
CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究
李豫东;文林;郭旗;何承发;周东;冯婕;张兴尧;于新22-27
基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法
文林;李豫东;冯婕;郭旗;何承发;周东;张兴尧;于新;玛丽娅·黑尼28-31
1MeV电子辐照对InGaAsP/InGaAs双结电池电学参数的影响
玛丽娅·黑尼;赵晓凡;李豫东;莫敏·赛来;周东;艾尔肯·阿不都瓦衣提;郭旗32-36
3 MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究
于新;郭旗;李豫东;何承发;文林;张兴尧;周东37-42
辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真
魏莹;崔江维;郑齐文;马腾;孙静;文林;余学峰;郭旗43-47
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
马腾;崔江维;郑齐文;魏莹;赵京昊;梁晓雯;余学峰;郭旗48-51
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