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16 Articles

CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析CSTPCD
Authors：YU XinXUN Ming-zhuGUO QiHE Cheng-faLI Yu-dongWEN LinZHANG Xing-yaoZHOU Dong
《现代应用物理》 2019年2期《现代应用物理》 Issue 2,2019
Keywords：位移损伤效应非电离能量损失CCDCMOS
Abstract：对位移损伤敏感器件CCD及CMOS图像传感器进行了3,10,23 MeV质子辐照试验,获得了电荷转移效率及暗电流退化程度分别随非电离能量损失(NIEL)变化的线性关系,验证了基于NIEL的位移损伤等效方法的可行性.为准确预测抗辐射加固工程中,器件屏蔽结构带来的能量崎离、次级粒子等非理想因素对器件参数退化的影响,利用Geant4计算了不同质子能量下的NIEL值.结果表明,随着质子能量降低,计算得到的NIEL值与解析法给出的理想N…More>>
辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号北大核心CSCD
Authors：刘炳凯李豫东文林周东郭旗
《原子能科学技术》 Issue 12,2021
Keywords：CMOS图像传感器位移损伤效应电离总剂量效应暗电流随机电报信号
Abstract：针对空间和核工业应用中辐射引起CMOS图像传感器产生暗电流随机电报信号(DC-RTS)问题,对0.18 μm CMOS图像传感器进行不同能量质子、γ射线的辐照试验,辐照后对DC-RTS特征参数进行分析.试验结果表明:由于位移损伤和电离总剂量效应产生的RTS缺陷不同,两种DC-RTS在台阶、最大跳变幅度、平均时间等参数存在差异.相比于位移损伤产生的DC-RTS,电离总剂量产生的DC-RTS具有跳变幅度小、平均时间长的波动特点,导致此类D…More>>
P型栅增强型GaN功率开关器件的中子辐照效应CSTPCD
Authors：张得玺陈伟罗尹虹刘岩郭晓强
《现代应用物理》 2018年3期《现代应用物理》 Issue 3,2018
Keywords：氮化镓功率器件增强型栅注入晶体管GaN位移损伤效应
Abstract：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1 MeV等效中子辐照效应实验.结果表明,在注量为1.5×1015 cm-2的中子辐照后,器件的阈值电压没有发生明显变化;栅压较大时,辐照后的饱和漏电流变小,这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关;当漏极电压小于200V时,器件的关态漏电流明显增加,表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽,但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化…More>>
航天器空间辐射效应分析技术现状与思考北大核心CSTPCD
Authors：王会斌呼延奇郑悦王华
《航天器环境工程》 2022年4期《航天器环境工程》 Issue 4,2022
Keywords：空间辐射环境辐射环境模型总剂量效应位移损伤效应单粒子效应
Abstract：文章梳理了面向航天器总体设计的空间辐射效应分析技术现状,重点归纳了航天器空间辐射效应分析中需关注的总剂量效应、位移损伤效应、单粒子效应分析的要素、分析方法及软件工具,并结合近年来国际上空间辐射环境模型的最新进展,就辐射环境动态变化认知、在轨辐射风险表征、陌生轨道区域辐射环境影响分析等方面提出国内空间辐射效应分析技术的不足及后续发展建议。
光电耦合器件在低地球轨道航天器中的运用评估CSTPCD
Authors：王芸石志成赵筱琳杨榕
《航天器环境工程》 2015年5期《航天器环境工程》 Issue 5,2015
Keywords：光电耦合器总剂量辐射位移损伤效应低地球轨道
Abstract：不同种类光电耦合器件(光耦)结构工艺对空间总剂量辐射的敏感性存在较大差异,故对其在航天器的使用应区别对待.文章分别对组成常见光耦的LED部分、光电耦合部分以及集成放大电路部分受电离总剂量辐射和位移损伤效应的影响进行分析,比较了光耦各个组成部分和不同工艺的光耦对辐射的敏感度.在地面辐照测试数据基础上,以 3 种典型光耦为原型,设计在轨验证电路,对器件在辐射环境下的长期工作情况进行了试验验证.结果表明,在适当的参数选择和合理的电路设计下,…More>>
多尺度模拟方法在材料位移损伤效应研究中的应用CSTPCD
Authors：贺朝会唐杜李奎
《现代应用物理》 2018年2期《现代应用物理》 Issue 2,2018
Keywords：位移损伤效应第一性原理分子动力学动力学蒙特卡罗数值模拟
Abstract：介绍了材料位移损伤效应研究中的多尺度数值模拟方法,包括第一性原理、分子动力学和动力学蒙特卡罗方法,举例说明了3种方法的作用和模拟结果,指出了半导体材料位移损伤多尺度模拟研究中待研究的问题,为半导体材料的辐射效应研究提供参考.
空间辐射环境危害综合监测原理样机研制CSTPCD
Authors：马英起朱翔李宏伟张振龙韩建伟
《航天器环境工程》 2019年1期《航天器环境工程》 Issue 1,2019
Keywords：空间辐射单粒子效应总剂量效应位移损伤效应充电效应监测样机
Abstract：依据空间辐射环境的分布特性及具体空间辐射效应的特征判据,设计出多功能、模块化的航天器空间环境危害监测样机.该样机可针对不同运行轨道辐射环境采用不同的探测模块组合,能够实现单粒子效应、总剂量效应、位移损伤效应、表面充电效应和深层充电效应等辐射危害的综合监测,且具有高集成、低功耗的特性,可为卫星平台提供有效的辐射危害实时监测告警和故障诊断支持.
高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究CSTPCD
Authors：李钰文林周东李豫东郭旗
《现代应用物理》 2021年3期《现代应用物理》 Issue 3,2021
Keywords：高能质子位移损伤效应电荷耦合器件非电离能损热像素
Abstract：针对空间环境中高能质子辐射导致电荷耦合器件(CCD)性能退化评估问题,开展能量高于60 MeV的质子辐照试验,考察了 CCD的重要性能参数暗电流和电荷转移效率受质子辐照的退化情况及质子辐照后CCD的热像素产生情况.研究表明:高能质子辐照导致CCD性能退化的敏感参数包括暗电流、电荷转移效率和热像素;对于60 MeV和100 MeV的质子能量,当辐照注量达到5×1010 cm-2时,暗电流和电荷转移效率出现了一定的退化,更加显著的退…More>>
SiC JBS二极管和SiC MOSFET的空间辐照效应及机理CSTPCD
Authors：张鸿郭红霞顾朝桥柳奕天张凤祁潘霄宇琚安安刘晔冯亚辉
《太赫兹科学与电子信息学报》 Issue 9,2022
Keywords：碳化硅结型肖特基二极管碳化硅场效应晶体管单粒子烧毁计算机辅助设计总剂量效应位移损伤效应
Abstract：基于第六代650 V碳化硅结型肖特基二极管(SiC JBS Diode)和第三代900 V碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),开展SiC功率器件的单粒子效应、总剂量效应和位移损伤效应研究.20～80 MeV质子单粒子效应实验中,SiC功率器件发生单粒子烧毁(SEB)时伴随着波浪形脉冲电流的产生,辐照后SEB器件的击穿特性完全丧失.SiC功率器件发生SEB时的累积质子注量随偏置电压的增大而减小.利用计算机辅助设计工具(TCAD)…More>>
不同偏置下CCD器件γ射线及质子辐射研究
Authors：杨智康文林周东李豫东冯婕郭旗
《太赫兹科学与电子信息学报》 Issue 9,2022
Keywords：电荷耦合器件电离总剂量效应位移损伤效应偏置条件
Abstract：电荷耦合器件(CCD)是用于空间光电系统可见光成像的图像传感器,在空间应用环境下受辐射效应作用导致CCD性能退化甚至失效.对于CCD空间辐射效应的地面模拟试验研究,辐照试验中CCD采用合适的偏置条件是分析其空间辐射损伤的必要措施.由于CCD对质子辐照导致的电离总剂量效应和位移损伤效应均非常敏感,因此针对CCD空间应用面临的电离总剂量效应和位移损伤效应威胁,开展不同辐照偏置下CCD的辐射效应及损伤机理研究.针对一款国产埋沟CCD器件,开…More>>

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