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高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制北大核心CSCDCSTPCD
作者：罗卫军陈晓娟李成瞻刘新宇和致经魏珂梁晓新王晓亮
发表期刊：半导体学报 2006年11期
关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管微波功率功率增益
摘要：在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该lmm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14…查看全部>>
蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制CSCD
作者：邵刚刘新宇和致经刘键魏珂陈晓娟吴德馨
发表期刊：电子器件 2004年3期
关键词：AlGaN/GaNHEMT微波功率单位截止频率
摘要：基于蓝宝石衬底的高微波特性AlGaN/GaN HEMTs功率器件,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度0.784 A/mm,跨导197 mS/mm,关态击穿电压>80 V,截止态漏电很小,栅宽1 mm的器件的单位截止频率(fT)达到20 GHz,最大振荡频率(f max)28 GHz,2 GHz脉冲测试下,栅宽0.75 mm器件,功率增益 11.8 dB,输出功率31.2 dBm,功率密度1.75 W/mm.
ECR离子源中的微波功率在线测量北大核心CSCD
作者：周长庚亢武胡永宏李彦娄本超祖秀兰熊日恒陈俊光黎晓云
发表期刊：强激光与粒子束 2005年9期
关键词：ECR离子源微波功率在线测量离子束流
摘要：在中子发生器中采用ECR离子源是一种新技术.由于受结构的限制,ECR离子源不能像高频源离子源那样通过观察气体放电的颜色判断其工作状态,所以在运行中调节状态非常困难.解决这个问题的方法是:用定向耦合器加微波小功率计的方法在线测量ECR离子源的微波入射功率,通过微波入射功率可以直接得到ECR离子源引出离子束流的大小,从而推断微波信号源的放电过程是否正常,然后调整ECR离子源,最终使中子发生器工作在最佳状态.从ECR离子源后面的引出电极测得…查看全部>>
一种新型的在线式微波功率传感器北大核心CSCDCSTPCD
作者：韩磊黄庆安廖小平
发表期刊：半导体学报 2007年7期
关键词：微波功率功率传感器在线式MEMSGaAs MMIC工艺
摘要：提出了一种基于MEMS技术的在线式微波功率传感器结构,并对该结构进行了理论分析、设计、制作和测量.该结构通过测量由MEMS膜耦合出的一小部分微波功率实现功率的测量.该结构制作工艺与GaAs MMIC工艺完全兼容.测量结果显示,在12GHz频率以内,微波功率传感器的反射系数小于-15dB,插入损耗小于2dB,在10GHz中心频率下的灵敏度为10 4μV/mW.
导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET北大核心CSCDCSTPCD
作者：柏松陈刚李哲洋张涛汪浩蒋幼泉
发表期刊：半导体学报 2007年z1期
关键词：碳化硅导通衬底半绝缘衬底MESFET微波功率
摘要：分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参数的不同是造成微波性能差异的主要原因.
MPCVD金刚石薄膜微波功率和沉积压力匹配性研究北大核心CSTPCD
作者：张帅李成明安康邵思武黄亚博杨志亮陈良贤魏俊俊刘金龙郑宇亭
发表期刊：人工晶体学报 2022年5期
关键词：金刚石薄膜MPCVD沉积压力微波功率均匀性数值模拟
摘要：微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备的高质量金刚石在很多领域均有广泛应用前景.本研究采用9 kW微波功率,分别在13 kPa、14 kPa、15.5 kPa、17 kPa的腔室压力下进行薄膜沉积实验,发现在15.5 kPa、17 kPa的腔室压力下沉积的薄膜在中心区域出现异常生长情况,具体表现为中心存在明显的阶梯式凸起.为揭示薄膜中心出现异常沉积的原因,使用SEM和Raman分析薄膜表面形貌和质量,通过数值模拟进行沉积过程建模…查看全部>>
MWPCVD制备金刚石膜装置的大功率稳定运行的研究CSCD
作者：舒兴胜邬钦崇
发表期刊：高技术通讯 2001年7期
关键词：MWPCVD装置稳定运行微波功率金刚石膜
摘要：介绍了水冷反应室式MWPCVD制备金刚石膜装置的结构和工作原理,着重讨论了该装置长时间大功率稳定运行的措施.该装置在微波输入功率为3.0kW时能长时间稳定运行.用该装置成功地在硅衬底上沉积出金刚石膜.
微波放电脱除 NO北大核心CSCDCSTPCD
作者：唐军旺杨黄河任丽丽王爱琴马磊张涛林励吾
发表期刊：高等学校化学学报 2002年4期
关键词：微波放电NO脱除N2选择性微波功率
摘要：报道一种不用催化剂, 一步脱除NO的新方法--常压微波放电法. 探讨在(NO, He), (NO, O2, He)和(NO, O2, H2O, He)体系中微波放电脱除NO的差异. 研究结果表明, 在(NO, He)条件下可实现一步高效脱除NO, 在(NO, O2, He)条件下也可实现80%左右的NO转化, 其中N2的选择性高达80%, 而H2O的加入并未影响N2的产率. 同时发现, 随着微波功率的加大, NO转化率也增大, 而N2…查看全部>>
SiC MESFET微波功率测试技术北大核心CSCDCSTPCD
作者：王同祥潘宏菽李亮
发表期刊：半导体学报 2006年z1期
关键词：微波功率测试SiC MESFET输出功率
摘要：对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统,完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试,功率增益大于6dB,器件的fT为6.7GHz,fmax达25GHz.
南瓜渣的微波真空干燥北大核心CSCDCSTPCD
作者：姜元欣许时婴王璋
发表期刊：食品与发酵工业 2004年5期
关键词：南瓜渣β-胡萝卜素微波真空干燥微波功率微波真空压强干燥动力学
摘要：加工南瓜汁时得到大量的副产品南瓜渣,南瓜渣富含具有生物活性功能的β-胡萝卜素和膳食纤维,是一种值得开发和利用的保健食品资源.文中采用微波真空干燥,力求最大程度保存β-胡萝卜素.在不同微波功率和压强条件下测定水分含量和β-胡萝卜素含量,得到干燥曲线以及β-胡萝卜素失活曲线.研究结果表明,提高微波功率可以大大提高干燥速度.通过增加压强可以提高干燥速度,但会加快β-胡萝卜素的失活.在668.37W和4000Pa条件下干燥时,β-胡萝卜素的保…查看全部>>

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