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多量子势垒双阻挡层结构对AlGaN基深紫外激光二极管的性能优化北大核心
作者：王梦真王瑶魏士钦王芳全智刘俊杰刘玉怀
发表期刊：原子与分子物理学报 2022年2期
关键词：多量子势垒双阻挡层深紫外激光二极管载流子泄露
摘要：为提高AlGaN基深紫外激光二极管(Deep Ultraviolet Laser Diodes,DUV-LD)有源区内载流子浓度,减少载流子泄露,提出一种DUV-LD双阻挡层结构,相对于传统的单一电子阻挡层(Electron Blocking Layer,EBL)结构,又引入一空穴阻挡层(Hole Blocking Layer,HBL),仿真结果证明空穴阻挡层的应用能很好地减少空穴泄漏.同时又对双阻挡层改用五周期Al0.98 Ga0.…查看全部>>
利用倒梯矩形电子阻挡层降低深紫外激光二极管的电子泄露北大核心
作者：王瑶王梦真魏士钦王芳刘玉怀
发表期刊：原子与分子物理学报 2021年6期
关键词：深紫外激光二极管AlGaN倒梯矩形电子阻挡层电子泄露
摘要：为了有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种新颖的具有倒梯矩形的电子阻挡层(EBL)结构.通过使用Crosslight软件将矩形,梯矩形和倒梯矩形三种不同的结构进行仿真研究,比较三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P-I以及V-I特性等,得出倒梯矩形EBL更能有效地抑制电子的泄露,从而改善了器件的光学和电学性能.
利用山形空穴存储层结构对深紫外激光二极管的性能优化
作者：桑習恩许愿尹孟爽王芳刘俊杰刘玉怀
发表期刊：原子与分子物理学报 2023年6期
关键词：深紫外激光二极管空穴存储层空穴注入效率电子泄露
摘要：为了有效提高深紫外激光二极管的空穴注入效率和减少电子泄露,优化其性能,设计出了在基础矩形空穴存储层结构上改进后的山形空穴存储层和倒山形空穴存储层.使用Crosslight软件模拟仿真倒山形和山形空穴存储层结构的电子浓度、电子电流密度、能带图以及P-I特性曲线.结果显示山形空穴存储层激光器的光学和电学性能优于矩形和倒山形激光器,因此山形空穴存储层激光器能有效地增加有源区空穴注入和减少电子泄露,提高有源区载流子浓度和辐射复合速率,实…查看全部>>
利用W形空穴阻挡层降低AlGaN基深紫外激光二极管的空穴泄露
作者：贾李亚张鹏飞张傲翔王芳刘俊杰刘玉怀
发表期刊：原子与分子物理学报 2023年5期
关键词：AlGaN深紫外激光二极管空穴阻挡层空穴泄露
摘要：本文设计了V形和W形的空穴阻挡层(HBL)结构,改善空穴在AlGaN基深紫外激光二极管(DUV-LD)n型区的泄露问题.使用Crosslight软件,将参考型矩形、V形和W形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究,分别比较了三种不同结构的DUV-LD能带、n区空穴浓度、辐射复合率、电光转换效率、有源区载流子浓度等特性,结果表明,具有W形空穴阻挡层的DUV-LD拥有更高的空穴有效势垒高度、更高的辐射复合率、更低的空穴泄露以及更好的斜率效率,可以…查看全部>>
有源区掺杂的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化
作者：尹孟爽张傲翔张鹏飞贾李亚王芳刘俊杰刘玉怀
发表期刊：原子与分子物理学报 2024年3期
关键词：AlGaN有源区量子势垒掺杂深紫外激光二极管
摘要：为了改善深紫外激光二极管的性能,本文提出了有源区量子势垒n掺杂、p掺杂和n-p掺杂三种结构.利用Crosslight软件,对原始结构和有源区掺杂的三种结构进行仿真研究,比较四种结构的P-I特性曲线、V-I特性曲线、载流子浓度、辐射复合速率和能带图.仿真结果表明,有源区量子势垒n-p掺杂结构的性能更优,其阈值电压和阈值电流分别为4.40V和23.8 mA;辐射复合速率达到1.64×1028cm-3/s;同一注入电流下电光转换效率达到42…查看全部>>
具有M形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化北大核心
作者：张傲翔王瑶王梦真魏士钦王芳刘玉怀
发表期刊：量子电子学报 2022年4期
关键词：激光技术深紫外激光二极管AlGaNM形空穴阻挡层空穴泄露
摘要：为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在n型区的空穴泄露,优化其工作性能,提出了一种新颖的M形空穴阻挡层(HBL)结构.使用Crosslight软件对矩形、N形和M形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究和对比,发现M形空穴阻挡层结构能够更有效地降低n型区的空穴泄露,增加量子阱内的辐射复合率,同时降低激光二极管的阈值电压与阈值电流,提升激光二极管的电光转换效率与输出功率,表明M形空穴阻挡层结构能够有效降低DUV-LD在n型区的空穴泄露并优化其工作性能.
基于阱式阶梯电子阻挡层的深紫外激光二极管性能研究
作者：魏士钦王瑶王梦真王芳刘俊杰刘玉怀
发表期刊：量子电子学报 2023年1期
关键词：激光技术深紫外激光二极管AlGaN阱式阶梯电子阻挡层电子泄露
摘要：为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构.利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯形三种不同的结构分别进行了仿真研究,详细对比分析了三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P?I以及V?I特性等,结果表明阱式阶梯EBL对电子的泄露抑制效果最好,从而使得器件的光学和电学性能得到优化.
利用倒双阶渐变阶梯形电子阻挡层减少深紫外激光二极管的电子泄露
作者：张鹏飞钟瑞王瑶贾李亚王芳刘玉怀
发表期刊：原子与分子物理学报 2023年1期
关键词：AlGaN深紫外激光二极管电子阻挡层电子泄露
摘要：本文提出了用双阶渐变阶梯和倒双阶渐变阶梯形电子阻挡层(EBL)以减少AlGaN基深紫外激光二极管(DUV-LDs)在p型区的电子泄露,并用Crosslight软件模拟仿真了双阶渐变阶梯和倒双阶渐变阶梯形EBL结构的光电特性,结果发现:具有倒双阶渐变阶梯形EBL的激光器拥有比双阶渐变阶梯形EBL激光器更高的斜率效率(SE),更高的输出功率,更低的阈值电流和阈值电压,更高的有效势垒高度和更低的电子泄露.这意味着前者拥有更强的抑制电子泄露的…查看全部>>