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氧离子辅助法沉积ITO透明导电膜的研究CSCD
作者：初国强王子君赵家民刘毅南刘云刘星元王立军
发表期刊：光学精密工程 2001年2期
关键词：离子辅助沉积ITO膜电子束氧空位原子力显微镜
摘要：论述了ITO膜的导电及生长机理，讨论了离子辅助(IAD)电子枪蒸镀ITO膜的方法中，膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ITO膜光电性能的影响，在选择合适的工艺条件下制备ITO膜，电阻率约3×10-4Ω*cm，可见光平均透过率高于80％。并用原子力显微镜（AFM）对溅射及蒸发膜进行了表面面型测试。
锡掺杂对ITO膜方阻和结构的影响北大核心CSCDCSTPCD
作者：马颖吕庆莉张方辉袁桃利张麦丽
发表期刊：液晶与显示 2006年5期
关键词：ITO膜溶胶-凝胶法Sn掺杂X射线衍射分析
摘要：以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为450 ℃条件下制备不同锡掺杂(质量分数11 %～33 %)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响.用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品进行X射线衍射分析,结果表明:锡掺杂量在20 %时ITO膜的方阻最小,不同锡掺杂的ITO膜均为立方铁锰矿结构,锡掺杂会影响ITO膜晶粒尺寸、晶格常数和晶面取向等结构特性,ITO膜的晶粒较大、晶格畸…查看全部>>
X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响北大核心CSCD
作者：马颖韩薇张方辉
发表期刊：液晶与显示 2005年4期
关键词：ITO膜热处理温度X射线衍射分析溶胶-凝胶法
摘要：采用溶胶-凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO膜,对制备的ITO膜样品进行X射线衍射分析.研究表明热处理温度对ITO膜的衍射峰相对强度、晶粒尺寸和晶格常数有较大的影响,随着热处理温度的增加,ITO膜随机取向增加,晶粒增大,晶格常数在400 ℃时畸变最小.热处理温度为450 ℃时ITO膜的择优取向较弱,晶粒较大,晶格畸变较小,ITO膜的方阻最小.
成膜与热处理参数对溅射沉积ITO膜电性能的影响CSCD
作者：张浩康邓一唯
发表期刊：电子器件 2003年4期
关键词：ITO膜直流磁控反应溅射热处理
摘要：采用了补氧直流磁控反应溅射工艺制备ITO膜,在不同基片加热温度和补氧流量下获得最低方块电阻值的最佳制备工艺.对制备的ITO薄膜进行了退火热处理,研究不同温度热处理后膜的方块阻值的变化.实验表明,对一定的基片加热温度,ITO膜的方块电阻与溅射气氛中的补氧流量有关,并存在一个最佳补氧的值,在该条件下制备ITO的方块电阻最小,在膜厚为40 nm埃时仅有不到100Ω/□.影响溅射沉积ITO透明导电薄膜方阻的,除了溅射沉积时基片的烘烤温度和补氧…查看全部>>
低温沉积ITO透明导电膜的研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：沈玫纪建超贺会权
发表期刊：材料工程 2006年z1期
关键词：透明导电膜ITO膜磁控溅射
摘要：通过探讨半导体氧化物ITO膜的透光和导电机理,用反应性直流磁控溅射的镀膜工艺,在有机玻璃上低温镀制(ITO)膜,研究ITO膜溅射工艺参数与透光和导电性能的关系,实现了在低温下镀制(ITO)膜的技术,其透光率≥80%以上,表面电阻≤30Ω/□.
热处理时间对透明导电膜结构与导电性能的影响
作者：马颖
发表期刊：陕西科技大学学报（自然科学版） 2005年4期
关键词：ITO膜热处理时间X射线衍射分析溶胶-凝胶法
摘要：对以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法制备的掺锡氧化铟薄膜(ITO膜)样品进行了X射线衍射分析,研究了热处理时间对ITO膜的影响,结果表明热处理时间影响ITO膜晶粒的大小、衍射峰的相对强度和晶格常数;热处理时间为15min时,ITO膜晶粒较大,衍射峰择优取向不明显,晶格畸变较小,此时ITO膜的方阻最小.
基于多区域ITO膜的大尺寸LCD低温加热研究
作者：余承东杨劲松梁监天牛永鹏
发表期刊：中国新技术新产品 2016年10期
关键词：低温加热ITO膜分区加热大尺寸LCD
摘要：本文以ITO膜作为加热元件，设计制备了大尺寸液晶显示器的低温加热模块。采用5个非等分的分区加热结构，通过调控各区域ITO膜加载功率的占空比和引入反馈调节机制，控制加热区域的升温速率，优化液晶显示器的温度场分布。在270V电压下，先以12%的功率占空比快速升温，再以6%的功率占空比保持温度，能够使液晶显示器在300s内达到快速启动要求，在500s内达到一个相对稳定的温度（-5℃），同时各区域中心温差保持在2℃以内，较好地解决了大尺寸液晶…查看全部>>
光谱法在线控制ITO膜的制备
作者：黄士勇王德苗任高潮陈抗生
发表期刊：真空电子技术 1996年3期
关键词：光谱法在线控制ITO膜沉积速率
摘要：ＩＴＯ膜的特性受到溅射过程中很多因素的影响，但是实验证明ＩＴＯ膜的沉积速率与溅射过程中等离子体的特征光谱强度及此时靶电流比值成正比。本文提出了用光谱法在线控制ＩＴＯ透明导电膜的制备过程、实验结果。
ITO薄膜温度传感器的研究
作者：张治国
发表期刊：内蒙古电力技术 1996年5期
关键词：ITO膜传感器温度
摘要：通过对ＩＴＯ膜的合成及其传感器的样品制作，得出样品温度与方块电阻的关系和恒压下温度对电流的调制作用，并对正负温度系数的成因作了分析。
ITO薄膜厚度和含氧量对其结构与性能的影响北大核心CSCDCSTPCD
作者：辛荣生林钰
发表期刊：电子元件与材料 2007年7期
关键词：无机非金属材料ITO膜氧氩流量比电阻率透光率
摘要：在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况.以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70 nm以上进行镀膜,获得了结晶性好、电阻率低且透光率高的ITO透明半导体薄膜,所镀制的ITO膜电阻率降到1.8×10-4 Ω·cm,可见光透光率达80 %以上.

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