期刊信息/Journal information
：中国原子能科学研究院
：赵皓
：月刊
：1000-6931
：11-2044/TL
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：010-69358024
：102413
：北京市275-65信箱
原子能科学技术/Journal Atomic Energy Science and Technology北大核心CSCDCSTPCD
《原子能科学技术》，月刊，由中国原子能科学研究院主办，1959年创刊， 国内外公开发行， 全国性学术与技术兼顾的原子能类核心期刊，先后被《EI Compendex》数据库、美国化学文摘《CA》 、日本...展开全部>>
收录年代
一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术
叶甜春;李博;刘凡宇;李多力;李彬鸿;陈思远2241-2253
重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究
于庆奎;张腾;柏松;曹爽;张琛睿;孙毅;梅博;王乾元;王贺;魏志超;张洪伟2254-2263
重离子辐照引发的25 nm NAND Flash存储器数据位翻转
盛江坤;许鹏;邱孟通;丁李利;罗尹虹;姚志斌;张凤祁;缑石龙;王祖军2264-2273
位移损伤效应对AlGaN/GaN HEMT器件的影响
陈柏炜;钟向丽;孙常皓;马腾;宋宏甲;王金斌;彭超;张战刚;雷志锋;梁朝辉2274-2280
用于单粒子效应辐照实验的CYCIAE-100白光中子源研究
陈启明;鲍杰;马旭;郭刚;赵树勇;张峥;韩金华;张付强;李汪田2281-2287
Effects of Strain Channel on Electron Irradiation Tolerance of InP-based HEMT Structures
FANG Renfeng;CAO Wenyu;WEI Yanfeng;WANG Yin;CHEN Chuanliang;YAN Jiasheng;XING Yan;LIANG Guijie;ZHOU Shuxing2288-2294
JFET区宽度对SiC MOSFET单粒子效应的影响
许明康;贾云鹏;周新田;胡冬青;吴郁;唐蕴;黎荣佳;赵元富;王亮2295-2303
基于实验与仿真的SiC JFET单粒子效应研究
黎荣佳;贾云鹏;周新田;胡冬青;吴郁;唐蕴;许明康;马林东;赵元富2304-2313
Laser-assisted Simulation of Dose Rate Effects of Wide Band Gap Semiconductor Devices
TANG Ge;XIAO Yao;SUN Peng;LIU Jingrui;ZHANG Fuwang;LI Mo2314-2325
Design of Novel and Low Cost Triple-node Upset Self-recoverable Latch
BAI Na;MING Tianbo;XU Yaohua;WANG Yi;LI Yunfei;LI Li2326-2336