国家科技期刊平台

相关度

相关度
发表时间

每页显示10条

每页显示10条
每页显示20条
每页显示30条

已找到 40 条结果

SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进北大核心CSCDCSTPCD
作者：任铮胡少坚蒋宾王勇赵宇航
发表期刊：半导体学报 2008年5期
关键词：Mextram模型0.13μm锗硅工艺异质结双极晶体管参数提取
摘要：针对IMEC 0.13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25～125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量,提取了该器件在25～125℃范围内的温度可变Mextram 504模型参数.在此基础上,为Mextram 504模型对0.13μm基区Ge组分二阶分布SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案.提出了对Me…查看全部>>
npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析北大核心CSCDCSTPCD
作者：龚欣马琳张晓菊张金凤杨燕郝跃
发表期刊：半导体学报 2006年9期
关键词：GaN物理模型异质结双极晶体管
摘要：基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.
Ge组分对Si1-xGexHBT反向击穿特性影响的研究
作者：刘兴辉王立伟刘爽林洪春何学宇
发表期刊：辽宁大学学报（自然科学版） 2011年1期
关键词：SiGe异质结双极晶体管ISE_TCAD反向击穿特性
摘要：构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ce组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,但可导致晶体管的耐压降低,BVcbo、BVceo、BVebo等击穿电压均随x组分的增加而减少.本研究对利用软件实现器件的虚拟制造、以及设计中如何进行合理的组分剪裁从而获取综合性能的优化有一定意义.
C波段3.5W/mm,PAE＞40%的InGaP/GaAs HBT功率管北大核心CSCDCSTPCD
作者：申华军陈延湖严北平葛霁王显泰刘新宇吴德馨
发表期刊：半导体学报 2006年9期
关键词：InGaP/GaAs异质结双极晶体管功率管
摘要：通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAs HBT功率管.其击穿电压BVCBO大于31V,BVCEO大于21V;在5.4GHz时连续波(CW)饱和输出功率达到1.4W,功率密度达到3.5W/mm,功率附加效率(PAE)大于40%.
两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析北大核心CSCDCSTPCD
作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣
发表期刊：半导体学报 2007年z1期
关键词：异质结双极晶体管InGaP/GaAs直流特性
摘要：InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.
带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析北大核心CSCDCSTPCD
作者：孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍苏树兵刘新宇刘训春钱鹤
发表期刊：半导体学报 2006年8期
关键词：InP/InGaAs异质结双极晶体管复合集电区掺杂势垒尖峰
摘要：设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.…查看全部>>
SiGe HBT大信号扩散电容模型研究CSTPCD
作者：胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜李立姜涛
发表期刊：电子器件 2006年1期
关键词：SiGe异质结双极晶体管存储电荷扩散电容PSPICE
摘要：基于SiGe HBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGe HBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型.该模型从SiGe HBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础上,同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响,其物理意义清晰,拓扑结构简单.将基于大信号扩散电容模型的SiGe HBT模型嵌入PSPICE软件中,实现对SiGe HBT器件与电路的模拟分析.对…查看全部>>
SiGe HBT传输电流模型研究北大核心CSCDCSTPCD
作者：胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜崔晓英王青姜涛
发表期刊：半导体学报 2006年6期
关键词：SiGe异质结双极晶体管传输电流PSPICE软件
摘要：基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGe HBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGe HBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.对该模型进行了模拟,模拟结果与文献报道的结果符合得较好.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGe HBT器件与电路的模拟分析,并对器件进行了直流分析,分析结果与文献报道的结果符合得较好.
SiGe材料及其在双极型器件中的应用
作者：陈震吴德馨
发表期刊：电子与封装 2005年1期
关键词：SiGe异质结双极晶体管微波器件
摘要：SiGe材料具有很多独特的性质,高性能的应变SiGe外延层能够将能带工程的概念引入到传统的Si基材料中去.外延SiGe合金使得在Si基材料上制作性能优异的双极晶体管成为可能.本文回顾了SiGe材料和SiGe异质结双极晶体管的最新研究进展,包括它们的结构、性能、制作工艺、优点以及未来发展方向等.
非均匀条间距结构功率SiGe HBT北大核心CSCDCSTPCD
作者：金冬月张万荣沈珮谢红云王扬
发表期刊：半导体学报 2007年10期
关键词：SiGe异质结双极晶体管功率
摘要：成功研制出非均匀发射极条间距功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)用以改善功率器件热稳定性.实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距HBT相比,非均匀结构HBT的峰值结温降低了22K.在不同偏置条件下,非均匀结构SiGe HBT均能显著改善芯片表面温度分布的非均匀性.由于峰值结温的降低以及芯片表面温度分布非均匀性的改善,采用非均匀发射极条间距结构的功率SiGe HBT可以工作在更高的偏置条件下,具有更高的功率处理能力.

12 3 4 >