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期刊信息/Journal information
太赫兹科学与电子信息学报

中国工程物理研究院电子工程研究所

刘仓理

双月刊

2095-4980

51-1746/TN

xxdz@caep.ac.cn

0816-2487503 2495174

621999

四川绵阳919信箱532分箱

太赫兹科学与电子信息学报/Journal Information and Electronic Engineering北大核心CSTPCD
《太赫兹科学与电子信息学报》前身为《信息与电子工程》,是由中国工程物理研究院主管,中国工程物理研究院电子工程研究所主办、四川省电子学会协办的国内外公开发行的学术期刊,2003年创刊,于2008年被评为...展开全部>>
正式出版
收录年代
    2022年09期Issue 09,2022

    X射线辐照下材料电子发射特性的模拟

    赵伟;何佳龙978-983

    SiGe HBT单粒子效应关键影响因素数值仿真

    张晋新;郭红霞;吕玲;王信;潘霄宇869-876

    浮栅器件的单粒子翻转效应

    琚安安;冯亚辉;郭红霞;丁李利;刘建成;张凤祁;张鸿;柳奕天;顾朝桥;刘晔877-883

    SiC JBS二极管和SiC MOSFET的空间辐照效应及机理

    张鸿;郭红霞;顾朝桥;柳奕天;张凤祁;潘霄宇;琚安安;刘晔;冯亚辉884-896

    H2和H2O对双极器件抗辐射性能的影响规律和机制

    马武英;缑石龙;郭红霞;姚志斌;何宝平;王祖军;盛江坤897-902

    电离总剂量效应对HfO2栅介质经时击穿特性影响

    魏莹;崔江维;蒲晓娟;崔旭;梁晓雯;王嘉;郭旗903-907

    环境温度对SiC MOSFET的总剂量辐射效应影响

    蒲晓娟;冯皓楠;梁晓雯;魏莹;余学峰;郭旗908-914

    不同偏置下CCD器件γ射线及质子辐射研究

    杨智康;文林;周东;李豫东;冯婕;郭旗915-921

    HEMT器件质子辐射效应仿真

    马毛旦;曹艳荣;吕航航;王志恒;任晨;张龙涛;吕玲;郑雪峰;马晓华922-926

    非相干光子辅助太赫兹通信系统综述

    张丽瑶;蔡沅成;朱敏;孙梦凡;梁胜;余建军927-933